Ajustes de Grafite PECVD Bloco Sólido de Material de Grafite Isostático

Ajustes de Grafite PECVD Bloco Sólido de Material de Grafite Isostático
Propriedades Básicas
Local de Origem: China
Marca: Fangda
Certificação: Iso9001
Propriedades comerciais
Quantidade mínima de pedido: 1 peça
Resumo do Produto
Grafite PECVD – Descrição Industrial O grafite PECVD é um componente de grafite de alto desempenho projetado especificamente para processos de deposição química em fase vapor assistida por plasma (PECVD). Fabricado a partir de grafite de ultra-alta pureza e grão fino, ele oferece excelente ...
Atributos personalizados do produto
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Ajustes de Grafite PECVD

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Material de Grafite Isostático PECVD

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Bloco Sólido de Material de Grafite Isostático

Material:
grafite isostático
Cor:
Preto
Forma:
Bloco sólido
Descrição do produto
Especificações e características pormenorizadas
 

Grafite PECVD – Descrição Industrial

O grafite PECVD é um componente de grafite de alto desempenho projetado especificamente para processos de deposição química em fase vapor assistida por plasma (PECVD). Fabricado a partir de grafite de ultra-alta pureza e grão fino, ele oferece excelente estabilidade térmica, condutividade uniforme e baixos níveis de impurezas, essenciais para ambientes sensíveis à contaminação. Sua microestrutura otimizada garante interação consistente com o plasma e deposição uniforme de filmes em substratos. Com baixa expansão térmica e forte resistência ao choque térmico, o grafite PECVD mantém a integridade dimensional sob ciclos rápidos de temperatura. Revestimentos de superfície opcionais aumentam ainda mais a resistência à oxidação e a vida útil. Amplamente utilizado na fabricação de semicondutores e em sistemas de deposição de filmes finos, ele garante controle preciso do processo, repetibilidade e confiabilidade operacional a longo prazo.

 

Grau Densidade Aparente (g/cm³) Resistividade Elétrica (μΩ·m) Resistência à Compressão (MPa) Resistência à Flexão (MPa) Dureza Shore Teor de Cinzas (ppm) Cinzas Purificadas: Grafitação (ppm) Cinzas Purificadas: Produto (ppm) Coef. de Expansão Térmica (*10⁻⁶/°C) Condutividade Térmica W/(m·K) Módulo de Young (GPa) Aplicações
CDI-1A 1.85 10-13 90 45 60 300 50 5 5.5 133 11.5 Semicondutores, Zona de aquecimento na Indústria Fotovoltaica, Sinterização de Cerâmica, Forno a vácuo
CDI-1B 1.8 10-13 86 40 55 300 50 5 5.4 121 10 Semicondutores, Zona de aquecimento na Indústria Fotovoltaica, Sinterização de Cerâmica, Forno a vácuo
CDI-1C 1.82 11-15 100 48 58 300 50 5 5.6 120 10.6 Semicondutores, Zona de aquecimento na Indústria Fotovoltaica, Sinterização de Cerâmica, Forno a vácuo
CDI-1D 1.75 12-16 80 40 58 300 50 5 5.8 108 10 Semicondutores, Zona de aquecimento na Indústria Fotovoltaica, Sinterização de Cerâmica, Forno a vácuo