Pó de Grafite Isostático de Alta Pureza Personalizado Preto

O tamanho de grão do pó de grafite pode ser personalizado de acordo com a demanda do cliente

O monocrristal de carbeto de silício possui uma grande largura de banda proibida, alta condutividade térmica, alta taxa de migração de elétrons saturados e propriedades de alto campo elétrico de ruptura. No campo de alta temperatura, alta pressão, alta frequência, dispositivos eletrônicos de alta potência e aeroespacial, energia nuclear e outras aplicações em ambientes extremos, possui vantagens insubstituíveis. Em muitas indústrias estratégicas, como comunicações de banda larga, energia solar, fabricação de automóveis, iluminação de semicondutores, rede inteligente, pode reduzir a perda de energia em mais de 50%, compensando os defeitos dos dispositivos de materiais semicondutores tradicionais em aplicações práticas.

O pó de grafite de alta pureza é a matéria-prima central chave no campo do semicondutor de carbeto de silício na China, e há uma demanda significativa neste campo. A pureza do pó de SiC afeta diretamente a qualidade e o desempenho dos monocristais de SiC cultivados pelo método PVT. As matérias-primas para preparar pó de SiC são pó de Si de alta pureza e pó de C de alta pureza, e a pureza do pó de C afeta diretamente a pureza do pó de SiC. Nesta fase, os principais métodos para sintetizar pó de SiC de alta pureza são o método de síntese auto-propagante de alta temperatura (SHS) e o método CVD. Entre eles, o método SHS foi rapidamente promovido e amplamente utilizado na preparação de matérias-primas para wafers semicondutores.

O pó de grafite de ultra-alta pureza para monocristais de SiC tem requisitos específicos não apenas para o teor total de cinzas (≤5 ppm), mas também para a distribuição do tamanho de partícula, estrutura cristalina e elementos de impureza específicos, como boro, alumínio, nitrogênio e vanádio.