Özel Yüksek Saflıklı Grafit Tozu Izostatik Grafit Siyah

Grafit tozunun tane boyutu, müşterinin talebine göre özelleştirilebilir.

Silisyum karbür tek kristali, geniş bant aralığı genişliğine, yüksek termal iletkenliğe, yüksek elektron doygunluk göç hızına ve yüksek kırılma elektrik alan özelliklerine sahiptir. Yüksek sıcaklık, yüksek basınç, yüksek frekans, yüksek güçlü elektronik cihazlar ve havacılık, nükleer enerji ve diğer aşırı ortam uygulamaları alanlarında yeri doldurulamaz avantajlara sahiptir. Geniş bant iletişimi, güneş enerjisi, otomobil üretimi, yarı iletken aydınlatma, akıllı şebeke gibi birçok stratejik endüstride, geleneksel yarı iletken malzeme cihazlarının pratik uygulamalardaki kusurlarını telafi ederek enerji kaybını %50'den fazla azaltabilir.

Yüksek saflıkta grafit tozu, Çin'deki silisyum karbür yarı iletken alanında anahtar çekirdek hammaddedir ve bu alanda önemli bir talep bulunmaktadır. SiC tozunun saflığı, PVT yöntemiyle büyütülen SiC tek kristallerinin kalitesini ve performansını doğrudan etkiler. SiC tozunu hazırlamak için hammaddeler yüksek saflıkta Si tozu ve yüksek saflıkta C tozudur ve C tozunun saflığı SiC tozunun saflığını doğrudan etkiler. Bu aşamada, yüksek saflıkta SiC tozu sentezlemek için ana yöntemler kendiliğinden yayılan yüksek sıcaklık sentezi (SHS) yöntemi ve CVD yöntemidir. Bunlar arasında, SHS yöntemi yarı iletken wafer hammaddelerinin hazırlanmasında hızla yaygınlaşmış ve yaygın olarak kullanılmıştır.

SiC tek kristalleri için ultra yüksek saflıkta grafit tozunun, toplam kül içeriği (≤5 ppm) için belirli gereksinimleri olmasının yanı sıra, partikül boyutu dağılımı, kristal yapısı ve bor, alüminyum, azot ve vanadyum gibi belirli safsızlık elementleri için de gereksinimleri vardır.