Poudre de graphite de haute pureté personnalisée Graphite isostatique noir

La granulométrie de la poudre de graphite peut être personnalisée selon la demande du client

Le monocristal de carbure de silicium possède une large bande interdite, une conductivité thermique élevée, un taux de migration d'électrons saturés élevé et des propriétés de champ électrique de claquage élevé. Dans le domaine des dispositifs électroniques à haute température, haute pression, haute fréquence, haute puissance, ainsi que dans les applications aérospatiales, nucléaires et autres environnements extrêmes, il présente des avantages irremplaçables. Dans de nombreuses industries stratégiques telles que les communications à large bande, l'énergie solaire, la fabrication automobile, l'éclairage à semi-conducteurs, le réseau intelligent, il peut réduire les pertes d'énergie de plus de 50 %, compensant ainsi les défauts des dispositifs à matériaux semi-conducteurs traditionnels dans les applications pratiques.

La poudre de graphite de haute pureté est la matière première essentielle dans le domaine des semi-conducteurs au carbure de silicium en Chine, et il existe une demande significative dans ce domaine. La pureté de la poudre de SiC affecte directement la qualité et les performances des monocristaux de SiC obtenus par la méthode PVT. Les matières premières pour la préparation de la poudre de SiC sont la poudre de Si de haute pureté et la poudre de C de haute pureté, et la pureté de la poudre de C affecte directement la pureté de la poudre de SiC. À ce stade, les principales méthodes de synthèse de poudre de SiC de haute pureté sont la méthode de synthèse auto-entretenue à haute température (SHS) et la méthode CVD. Parmi elles, la méthode SHS a été rapidement promue et largement utilisée dans la préparation de matières premières pour les plaquettes de semi-conducteurs.

La poudre de graphite de très haute pureté pour monocristaux de SiC a des exigences spécifiques non seulement en termes de teneur totale en cendres (≤5 ppm), mais aussi en termes de distribution granulométrique, de structure cristalline et d'éléments d'impuretés spécifiques tels que le bore, l'aluminium, l'azote et le vanadium.