پودر گرافیت خالص سفارشی گرافیت ایزواستاتیک سیاه

اندازه دانه پودر گرافیت می تواند با توجه به تقاضای مشتری سفارشی شود

کریستال تک سیلیکون کاربید دارای عرض فاصله باند بزرگ، رسانایی حرارتی بالا، نرخ مهاجرت اشباع الکترون بالا و خواص میدان الکتریکی تجزیه بالا است.در زمینه درجه حرارت بالا، دستگاه های الکترونیک با فشار بالا، فرکانس بالا و قدرت بالا و هوافضا، انرژی هسته ای و سایر کاربردهای محیط زیست شدید دارای مزایای غیر قابل جایگزینی هستند.در بسیاری از صنایع استراتژیک مانند ارتباطات پهن باند، انرژی خورشیدی، تولید خودرو، نورپردازی نیمه هادی، شبکه هوشمند، می تواند از دست رفتن انرژی را بیش از ۵۰ درصد کاهش دهد،جبران نقص دستگاه های سنتی از مواد نیمه هادی در کاربردهای عملی.

پودر گرافیت با خلوص بالا، مواد اولیه اصلی در زمینه نیمه هادی کربید سیلیکون در چین است و تقاضای قابل توجهی در این زمینه وجود دارد.خلوص پودر SiC به طور مستقیم بر کیفیت و عملکرد کریستال های تک سی سی که با روش PVT رشد می کنند تاثیر می گذاردمواد اولیه برای تهیه پودر SiC پودر Si با خلوص بالا و پودر C با خلوص بالا هستند و خلوص پودر C به طور مستقیم بر خلوص پودر SiC تاثیر می گذارد.روش های اصلی برای سنتز پودر SiC با خلوص بالا روش خود افزوده سنتز با دمای بالا (SHS) و روش CVD است.در میان آنها، روش SHS به سرعت ارتقا یافته و به طور گسترده ای در آماده سازی مواد اولیه برای وافرهای نیمه هادی استفاده می شود.

پودر گرافیت بسیار خالص برای کریستال های تک سی سی نه تنها برای کل محتوای خاکستری (≤5 ppm) بلکه برای توزیع اندازه ذرات، ساختار کریستالی،و عناصر مخصوصی مانند بورون، آلومينيوم، نیتروژن و واناديوم