Προσαρμοσμένη Γραφίτης σε Σκόνη Υψηλής Καθαρότητας Ισοστατικός Γραφίτης Μαύρος

Το μέγεθος κόκκου της σκόνης γραφίτη μπορεί να προσαρμοστεί σύμφωνα με τη ζήτηση του πελάτη

Ο μονοκρύσταλλος καρβιδίου του πυριτίου έχει μεγάλο εύρος ζώνης, υψηλή θερμική αγωγιμότητα, υψηλό ρυθμό μετανάστευσης κορεσμού ηλεκτρονίων και υψηλές ιδιότητες ηλεκτρικού πεδίου διάσπασης. Στον τομέα των ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής πίεσης, υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος και σε εφαρμογές ακραίων περιβαλλόντων όπως η αεροδιαστημική, η πυρηνική ενέργεια, έχει αναντικατάστατα πλεονεκτήματα. Σε πολλές στρατηγικές βιομηχανίες όπως οι ευρυζωνικές επικοινωνίες, η ηλιακή ενέργεια, η αυτοκινητοβιομηχανία, ο φωτισμός ημιαγωγών, το έξυπνο δίκτυο, μπορεί να μειώσει την απώλεια ενέργειας κατά περισσότερο από 50%, καλύπτοντας τα ελαττώματα των παραδοσιακών συσκευών υλικών ημιαγωγών σε πρακτικές εφαρμογές.

Η σκόνη γραφίτη υψηλής καθαρότητας είναι η βασική πρώτη ύλη στον τομέα των ημιαγωγών καρβιδίου του πυριτίου στην Κίνα και υπάρχει σημαντική ζήτηση σε αυτόν τον τομέα. Η καθαρότητα της σκόνης SiC επηρεάζει άμεσα την ποιότητα και την απόδοση των μονοκρυστάλλων SiC που αναπτύσσονται με τη μέθοδο PVT. Οι πρώτες ύλες για την παρασκευή σκόνης SiC είναι σκόνη Si υψηλής καθαρότητας και σκόνη C υψηλής καθαρότητας, και η καθαρότητα της σκόνης C επηρεάζει άμεσα την καθαρότητα της σκόνης SiC. Σε αυτό το στάδιο, οι κύριες μέθοδοι για τη σύνθεση σκόνης SiC υψηλής καθαρότητας είναι η μέθοδος αυτο-διαδιδόμενης σύνθεσης υψηλής θερμοκρασίας (SHS) και η μέθοδος CVD. Μεταξύ αυτών, η μέθοδος SHS έχει προωθηθεί ραγδαία και χρησιμοποιείται ευρέως στην παρασκευή πρώτων υλών για πλακίδια ημιαγωγών.

Η σκόνη γραφίτη εξαιρετικά υψηλής καθαρότητας για μονοκρυστάλλους SiC έχει συγκεκριμένες απαιτήσεις όχι μόνο για τη συνολική περιεκτικότητα σε τέφρα (≤5 ppm), αλλά και για την κατανομή μεγέθους σωματιδίων, τη κρυσταλλική δομή και συγκεκριμένα στοιχεία ακαθαρσιών όπως το βόριο, το αλουμίνιο, το άζωτο και το βανάδιο.