Industria Semiconductor Grafito Negro Componentes de Grafito Bloque Sólido
Industria Semiconductor Grafito Negro Componentes de Grafito Bloque Sólido
Propiedades básicas
Lugar de origen:
Porcelana
Nombre de la Marca:
Fangda
Certificación:
Iso9001
Propiedades comerciales
Cantidad mínima de pedido:
1 pieza
Resumen del producto
Componentes de Grafito para la Industria de Semiconductores Soluciones de grafito de alto rendimiento diseñadas para procesos de fabricación de semiconductores: Pedestales de grafito de una sola pieza, verticales y en forma de disco con recubrimiento de SiC en la superficie para equipos de epitaxia ...
Atributos personalizados del producto
Resaltar
Industria Semiconductor Grafito
,Grafito Negro Semiconductor
,Componentes de Grafito Bloque Sólido
Material:
grafito isostático
Color:
Negro
Forma:
Bloque sólido
Descripción del Producto
Especificaciones y Características Detalladas
Componentes de Grafito para la Industria de Semiconductores
Soluciones de grafito de alto rendimiento diseñadas para procesos de fabricación de semiconductores:
- Pedestales de grafito de una sola pieza, verticales y en forma de disco con recubrimiento de SiC en la superficie para equipos de epitaxia de silicio
- Crisoles de grafito de ultra alta pureza para la producción de carburo de silicio monocristalino
- Accesorios especializados para el procesamiento de semiconductores:
- Electrodos de grafito, bloques de soporte y cubiertas de blindaje para implantación iónica
- Electrodos de grafito para grabado por plasma
- Moldes, plantillas de alta calidad y plantillas para empaquetado de semiconductores
- Componentes de procesamiento a alta temperatura:
- Crisoles de grafito, barcos y accesorios para calentamiento por inducción
- Procesamiento de materiales semiconductores de óxido de germanio y fundidos en zona
- Aplicaciones de fusión de metales de alta pureza
- Calentadores de grafito y cubiertas de aislamiento térmico para procesos Czochralski
- Calentadores y electrodos de grafito de alta pureza para la producción de zafiro por método HEM
Especificaciones Técnicas
| Grado | Densidad Aparente (g/cm³) | Resistividad Eléctrica (μΩ⋅m) | Resistencia a la Compresión (MPa) | Resistencia a la Flexión (MPa) | Dureza Shore | Contenido de Cenizas (ppm) | Expansión Térmica (*10⁻⁶/°C) | Conductividad Térmica W/(m⋅K) | Módulo de Young (GPa) | Aplicaciones |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDI-S1 | 1.8 | 12.5 | 90 | 45 | 58 | 5 | 4.5 | 105 | 10 | Semiconductor |
| CDI-S20 | 1.8 | 10 | 75 | 43 | 50 | 5 | 4.3 | 140 | 9 | Semiconductor |
| CDI-S3 | 1.78 | 11 | 85 | 40 | 45 | 5 | 3.8 | 120 | 10 | Semiconductor |
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