Indústria Semicondutores Grafite Negro Componentes de Grafite Bloco sólido
Indústria Semicondutores Grafite Negro Componentes de Grafite Bloco sólido
Propriedades Básicas
Local de Origem:
China
Marca:
Fangda
Certificação:
Iso9001
Propriedades comerciais
Quantidade mínima de pedido:
1 peça
Resumo do Produto
Componentes de Grafite para a Indústria de Semicondutores Soluções de grafite de alto desempenho projetadas para processos de fabricação de semicondutores: Pedestais de grafite verticais, em forma de disco, de peça única com revestimento de SiC na superfície para equipamentos de epitaxia de silício ...
Atributos personalizados do produto
Destacar
Indústria Grafite semicondutor
,Semicondutor Grafite Negro
,Componentes de grafite Bloco sólido
Material:
grafite isostático
Cor:
Preto
Forma:
Bloco sólido
Descrição do produto
Especificações e características pormenorizadas
Componentes de Grafite para a Indústria de Semicondutores
Soluções de grafite de alto desempenho projetadas para processos de fabricação de semicondutores:
- Pedestais de grafite verticais, em forma de disco, de peça única com revestimento de SiC na superfície para equipamentos de epitaxia de silício
- Crisóis de grafite de ultra-alta pureza para produção de carboneto de silício monocristalino
- Acessórios especializados para processamento de semicondutores:
- Eletrodos de grafite, blocos de apoio e tampas de blindagem para implantação iônica
- Eletrodos de grafite para gravação por plasma
- Moldes, gabaritos de alta qualidade e dispositivos para encapsulamento de semicondutores
- Componentes de processamento de alta temperatura:
- Crisóis de grafite, barcos e acessórios para aquecimento por indução
- Processamento de óxido de germânio e material semicondutor fundido por zona
- Aplicações de fusão de metais de alta pureza
- Aquecedores de grafite e tampas de isolamento térmico para processos Czochralski
- Aquecedores e eletrodos de grafite de alta pureza para produção de safira pelo método HEM
Especificações Técnicas
| Grau | Densidade Aparente (g/cm³) | Resistividade Elétrica (μΩ⋅m) | Resistência à Compressão (MPa) | Resistência à Flexão (MPa) | Dureza Shore | Teor de Cinzas (ppm) | Expansão Térmica (*10⁻⁶/°C) | Condutividade Térmica W/(m⋅K) | Módulo de Young (GPa) | Aplicações |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDI-S1 | 1.8 | 12.5 | 90 | 45 | 58 | 5 | 4.5 | 105 | 10 | Semicondutor |
| CDI-S20 | 1.8 | 10 | 75 | 43 | 50 | 5 | 4.3 | 140 | 9 | Semicondutor |
| CDI-S3 | 1.78 | 11 | 85 | 40 | 45 | 5 | 3.8 | 120 | 10 | Semicondutor |
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