産業 半導体 グラフィット ブラック グラフィット コンポーネント 固体ブロック
産業 半導体 グラフィット ブラック グラフィット コンポーネント 固体ブロック
基本プロパティ
原産地:
中国
ブランド名:
Fangda
認定:
Iso9001
取引物件
最低注文数量:
1個
製品概要
半導体産業用グラファイト部品 半導体製造プロセス向けに設計された高性能グラファイトソリューション： シリコンエピタキシャル成長装置用、SiCコーティング表面付き、垂直円盤型一体型グラファイトペデスタル 単結晶炭化ケイ素製造用超高純度グラファイトるつぼ 特殊半導体プロセス用アクセサリー： イオン注入用グラファイト電極、バックブロック、シールドカバー プラズマエッチング用グラファイト電極 半導体パッケージング用モールド、高グレードテンプレート、治具 高温プロセス部品： 誘導加熱用グラファイトるつぼ、ボート、アクセサリー 酸化ゲルマニウムおよびゾーンメルティング半導体材料プロセス 高純度金属溶解用途 ...
製品カスタム属性
ハイライト
産業 半導体 グラフィット
,半導体グラフィットブラック
,石墨部品 固体ブロック
材料:
静水圧グラファイト
色:
黒
形:
ソリッドブロック
製品説明
詳細な仕様と特徴
半導体産業用グラファイト部品
半導体製造プロセス向けに設計された高性能グラファイトソリューション：
- シリコンエピタキシャル成長装置用、SiCコーティング表面付き、垂直円盤型一体型グラファイトペデスタル
- 単結晶炭化ケイ素製造用超高純度グラファイトるつぼ
- 特殊半導体プロセス用アクセサリー：
- イオン注入用グラファイト電極、バックブロック、シールドカバー
- プラズマエッチング用グラファイト電極
- 半導体パッケージング用モールド、高グレードテンプレート、治具
- 高温プロセス部品：
- 誘導加熱用グラファイトるつぼ、ボート、アクセサリー
- 酸化ゲルマニウムおよびゾーンメルティング半導体材料プロセス
- 高純度金属溶解用途
- チョクラルスキー法用グラファイトヒーターおよび断熱カバー
- HEM法サファイア製造用高純度グラファイトヒーターおよび電極
技術仕様
| グレード | バルク密度 (g/cm³) | 電気抵抗率 (μΩ⋅m) | 圧縮強度 (MPa) | 曲げ強度 (MPa) | ショア硬度 | 灰分 (ppm) | 熱膨張率 (*10⁻⁶/°C) | 熱伝導率 W/(m⋅K) | ヤング率 (GPa) | 用途 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDI-S1 | 1.8 | 12.5 | 90 | 45 | 58 | 5 | 4.5 | 105 | 10 | 半導体 |
| CDI-S20 | 1.8 | 10 | 75 | 43 | 50 | 5 | 4.3 | 140 | 9 | 半導体 |
| CDI-S3 | 1.78 | 11 | 85 | 40 | 45 | 5 | 3.8 | 120 | 10 | 半導体 |
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