Grafite Poroso ad Alta Porosità Eccezionale Resistenza Grafite Isostatica Porosa

Grafite Poroso ad Alta Porosità Eccezionale Resistenza Grafite Isostatica Porosa
Proprietà di base
Luogo di origine: Cina
Marchio: Fangda
Certificazione: Iso9001
Proprietà Commerciali
Quantità minima di ordine: 1 pezzo
Riepilogo Prodotto
Grafite Poroso Grafite ad alta porosità caratterizzato da eccezionale resistenza, distribuzione ristretta delle aperture e microstruttura uniforme. Questo materiale è ampiamente utilizzato nella produzione di semiconduttori, nella tecnologia delle batterie, nei sistemi catalitici, nelle applicazioni ...
Attributi personalizzati del prodotto
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Grafite Porosa ad Alta Porosità

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Grafite Porosa Eccezionale Resistenza

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Grafite Isostatica Porosa

Materiale:
grafite isostatica
Colore:
Nero
Forma:
Blocco solido
Descrizione del prodotto
Specifiche e Caratteristiche Dettagliate
Grafite Poroso
Grafite ad alta porosità caratterizzato da eccezionale resistenza, distribuzione ristretta delle aperture e microstruttura uniforme. Questo materiale è ampiamente utilizzato nella produzione di semiconduttori, nella tecnologia delle batterie, nei sistemi catalitici, nelle applicazioni di stoccaggio dell'idrogeno e nei materiali adsorbenti avanzati.
Applicazioni nell'industria dei semiconduttori e miglioramento della qualità dei cristalli
  • Regola il rapporto C/Si per minimizzare la probabilità di transizione di fase
  • Filtra le impurità per migliorare la qualità dei cristalli
  • Fornisce un'uniformità di temperatura superiore nelle zone delle materie prime
  • Mantiene tassi di flusso d'aria costanti durante i processi di crescita dei cristalli
  • Migliora la morfologia dei cristalli e previene la policristallizzazione dei bordi
Specifiche Tecniche
Grado Densità Apparente (g/cm³) Resistività Elettrica (μΩ·m) Resistenza alla Compressione (MPa) Resistenza alla Flessione (MPa) Conducibilità Termica W/(m·K) Coefficiente di Espansione Termica (*10⁻⁶/°C) Porosità (%) Porosità Chiusa (%) Dimensione Media del Grano (μm)
CTL04K 1.1 40 32 14.5 30 5.5 46 1.5 55
CTL05K 1.2 30 40 19 40 5.5 45 2 40
CTL06K 0.9 100 22 9.5 25 6.7 50 1.5 80
Applicazioni Primarie
Produzione di semiconduttori, Componenti aerospaziali, Sistemi di nuova energia, Tecnologia a cuscino d'aria, Strutture di supporto per catalizzatori e applicazioni industriali avanzate.