Parti in grafite isostatico per la produzione di silicio policristallino e lingotti di silicio

Parti in grafite isostatico per la produzione di silicio policristallino e lingotti di silicio
Proprietà di base
Luogo di origine: Cina
Marchio: Fangda
Certificazione: Iso9001
Proprietà Commerciali
Quantità minima di ordine: 1 pezzo
Riepilogo Prodotto
Produzione di Silicio Policristallino e Applicazioni di Lingotti di Silicio Componenti per Zona Calda per Forno per Lingotti Policristallini Resistenze in grafite per prestazioni termiche ottimali Piastre laterali in grafite per integrità strutturale Piastre inferiori per fondazione stabile ...
Attributi personalizzati del prodotto
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Grafite isostatica per silicio policristallino

,

Grafite isostatica per lingotti di silicio

,

Parti in grafite isostatica

Materiale:
grafite isostatica
Colore:
Nero
Forma:
Blocco solido
Descrizione del prodotto
Specifiche e Caratteristiche Dettagliate
Produzione di Silicio Policristallino e Applicazioni di Lingotti di Silicio
Componenti per Zona Calda per Forno per Lingotti Policristallini
  • Resistenze in grafite per prestazioni termiche ottimali
  • Piastre laterali in grafite per integrità strutturale
  • Piastre inferiori per fondazione stabile
  • Elettrodi in grafite per conducibilità elettrica
  • Supporti in grafite per posizionamento sicuro
Applicazioni Policristalline in Forno di Riduzione
  • Alette in grafite per controllo di processo
  • Ugelli in grafite per flusso preciso del materiale
  • Basi in grafite per montaggio stabile
  • Barre riscaldanti in grafite nelle operazioni di forno a idrogenazione
Grado Densità apparente (g/cm³) Resistività elettrica (μΩ·m) Resistenza alla compressione (MPa) Resistenza alla flessione (MPa) Durezza Shore Contenuto di ceneri / Purificazione (ppm) Purificazione per grafitizzazione (ppm) Purificazione del prodotto (ppm) Coefficiente di espansione termica (×10⁻⁶/°C) Conducibilità termica (W/m·K) Modulo di Young (GPa) Applicazioni
CDI-1A 1.85 10–13 90 45 60 200 50 5 5.5 133 11.5 Semiconduttore, Zona calda nell'industria fotovoltaica, Sinterizzazione ceramica, Forno sottovuoto
CDI-1B 1.80 10–13 86 40 55 200 50 5 5.4 121 10.0 Semiconduttore, Zona calda nell'industria fotovoltaica, Sinterizzazione ceramica, Forno sottovuoto
CDI-1C 1.82 11–15 100 48 58 200 50 5 5.6 120 10.6 Semiconduttore, Zona calda nell'industria fotovoltaica, Sinterizzazione ceramica, Forno sottovuoto
CDI-1D 1.75 12–16 80 40 58 200 50 5 5.8 108 10.0 Semiconduttore, Zona calda nell'industria fotovoltaica, Sinterizzazione ceramica, Forno sottovuoto

 

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